IGBT緩沖保護(hù)電容器

1.什么是IGBT?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)-絕緣柵雙極型電晶體，是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。

IGBT模組是由IGBT（絕緣柵雙極型電晶體晶片）與FWD（續(xù)流二極體晶片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模組化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模組直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。

IGBT模組具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模組化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模組；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類(lèi)產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)。

2.什么是吸收電容器?

在電子功率器件的應(yīng)用電路中,都必須要設(shè)計(jì)緩沖電路,即為-吸收電路。吸收電容在電路中起的作用類(lèi)似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型電晶體（IGBT），消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙極型電晶體的損壞。

適用于變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、軌道交通、混合動(dòng)力車(chē)、逆變焊機(jī)、太陽(yáng)能/風(fēng)力發(fā)電新能源裝備變流器等行業(yè)的“across-the-bus”功率線路設(shè)計(jì)及牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域遍及所有IGBT模組區(qū)域尖峰電壓的吸收保護(hù)。

3.IGBT吸收保護(hù)電容器

佳名興在電子電路IGBT模組方面,推出高性能雙面金屬化聚丙烯膜緩沖吸收電容器-SMIT系列產(chǎn)品,該型號(hào)產(chǎn)品為針對(duì)IGBT模組而設(shè)計(jì),電容器可直接安裝在絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)模組上,容量由0.047uF至9.0uF,工作溫度范圍為-40℃至+110℃的環(huán)境下使用,可承受高脈沖和高鋒值電流,可減少當(dāng)切換IGBT所引起電壓和電流尖峰,這類(lèi)型的尖峰是電磁干擾的(EMI)的重要來(lái)源,下列為SMIT產(chǎn)品規(guī)范說(shuō)明:

①主要用途：

廣泛應(yīng)用于IGBT緩沖吸收

電力電子設(shè)備中,開(kāi)關(guān)器件斷時(shí)的尖峰電壓和尖峰電流之吸收保護(hù)

②特點(diǎn)：

損耗小,內(nèi)部溫升小

負(fù)電容量溫度系數(shù)

優(yōu)異的阻燃性能